KF3010XG系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

KF3010XG系列适用于低压应用，例如移动，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

      特点

30V/5.8A: RDs(ON) =25mO@ Vas=10V, Ip-5.8A

           RDs(ON) =28mO2@ Vas-4.5V, Ip=5A

           Rs(oN)-37mO@ Vas =2.5V, Ip=4A

超大密度单元、极小的RDSION)

超小封装: SOT23

      应用

电池电源管理

高速开关

低功率DC/DC转换