MT2103是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达250V电压下工作。
MT2103内置VCC和VBS欠压(UVLO)保 护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
MT2103输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑，集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.0A/-1.5A

MT2103采用SOP8封装。