KF3007XG系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET), 采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

KF3007XG系列适用于低压应用，例如移动，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

      特点

-30V/-4.1A

Rps(oN)<88mQ@ Vas=-10V,ID>=-4.1A

RDs(oN)< 108mO@ Vas--4.5V,Ip-3A

超大密度单元、极小的RDsION)

超小封装: SOT23

      典型应用

电源管理  

负载开关

电池保护