KF302是N沟道增强型功率场效应管(MOSFET)，采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
它适用于低压应用,例如移动，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点
20V/3.6A: Ros(oN) =65mQ@VGS=4.5V
20V/3.6A: Rps(ON) =100mQ@VGS=2.5V
应用
笔记本电源管理
便携式设备
电池电源系统
DC/DC转换
负载开关
LCD显示适配器
KF302 N沟道场效应管IC
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详细信息
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